Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL M29W010B70N6F TR MSL M29W010B70N6F TR Storage 32-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT24C05LGI MSL CAT24C05LGI Storage 8-PDIP 散裝 IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C66V-TE13 MSL CAT93C66V-TE13 Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16,512 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:500 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL DS28E07+ MSL DS28E07+ Storage TO-92-3 散裝 IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE TO92-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:256 x 4|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:3V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V65703S80BGG8 MSL 71V65703S80BGG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CAS25160LI-G-DF MSL CAS25160LI-G-DF Storage - 散裝 CAS25160 - 16KB SPI SER CMOS EEP 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S-24C128CH-T8T2U3 MSL S-24C128CH-T8T2U3 Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CS18LV02565ACR55 MSL CS18LV02565ACR55 Storage 28-SOP 管件 SRAM ASYNC SLOW 256K 32Kx8 5V 28 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53E2G32D4DE-046 AAT:C MSL MT53E2G32D4DE-046 AAT:C Storage 200-TFBGA(10x14.5) IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CY62126EV30LL-55BVXE MSL CY62126EV30LL-55BVXE Storage 48-VFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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