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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C128A-25VC |
Storage |
24-SOJ |
管件 |
IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61C256AL-12JLI-TR |
Storage |
28-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C256M16D3C-12BCN |
Storage |
96-FBGA(7.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY62167EV30LL-45BVXA |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W29N04KZSIBG |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 4GBIT ONFI 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns,700µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT24C512BW-SH-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 100142FC |
Storage |
24-CFlatPack |
散裝 |
SRAM, 4X4 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:CAM|技術:CAM|存儲容量:16 位|記憶體組織:4 x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL S25FL128P0XMFI011 |
Storage |
16-SOIC |
管件 |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CDP68HC68R2E |
Storage |
8-PDIP |
散裝 |
IC SRAM 2KBIT SPI 2.1MHZ 8DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:2.1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR |
Storage |
168-WFBGA(12x12) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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