Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CAT24AA04WI-G MSL CAT24AA04WI-G Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT24AA16WI-GT3 MSL CAT24AA16WI-GT3 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD55LT512WEBIRY MSL GD55LT512WEBIRY Storage 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1.2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S70GL02GS12FHVV23 MSL S70GL02GS12FHVV23 Storage 64-FBGA(13x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL GD55LB02GEBJRY MSL GD55LB02GEBJRY Storage 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IDT71T79602S200PFI MSL IDT71T79602S200PFI Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C2265XV18-600BZXC MSL CY7C2265XV18-600BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:600 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NM93C56EN MSL NM93C56EN Storage 8-DIP 散裝 IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S34ML01G200GHI000 MSL S34ML01G200GHI000 Storage 67-BGA(8x6.5) 散裝 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V65803S133BQG8 MSL 71V65803S133BQG8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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