Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S29GL01GS10TFA013 MSL S29GL01GS10TFA013 Storage 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT CFI 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C144-25AXC MSL CY7C144-25AXC Storage 64-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NV24C04MUW3VTBG MSL NV24C04MUW3VTBG Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL STK14EC8-BF25 MSL STK14EC8-BF25 Storage - 散裝 NON-VOLATILE SRAM, 512KX8, 25NS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL BR25H512FVM-5ACTR MSL BR25H512FVM-5ACTR Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT SPI 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL GD25Q128EFIRR MSL GD25Q128EFIRR Storage 16-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70µs,2.4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DB021E-MHN-T MSL AT45DB021E-MHN-T Storage 8-UDFN(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:264 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:70 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL S29GL01GS11FHB023 MSL S29GL01GS11FHB023 Storage 64-FBGA(13x11) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL DS2030Y-70# MSL DS2030Y-70# Storage 256-BGA(27x27) 託盤 IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25B128EWIGR MSL GD25B128EWIGR Storage 8-WSON(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70µs,2.4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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