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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT24C08AN-10SU-2.7 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:4.5 µs|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY14B256K-SP35XI |
Storage |
48-SSOP |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST25VF016B-50-4C-QAF |
Storage |
8-WSON(6x5) |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI 50MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT58L512L18FS-10 |
Storage |
100-TQFP(14x20.1) |
散裝 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61LPS409618B-200TQLI-TR |
Storage |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27LV256A-12JI |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 24AA04-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25SF321-SSHD-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W25N01KVZEIE TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V, B |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL M58BW16FB5T3T TR |
Storage |
80-PQFP(14x20) |
剪切帶(CT) |
IC FLASH 16MBIT 55NS 80PQFP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:512K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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