Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT45W2MW16PAFA-70 IT MSL MT45W2MW16PAFA-70 IT Storage 48-VFBGA(6x8) IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MB85RC512TYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RC512TYPN-G-AMEWE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC512LYPNF-G-BCERE1 MSL MB85RC512LYPNF-G-BCERE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RS512TYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RS512TYPN-G-AMEWE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RS512LYPNF-G-BCERE1 MSL MB85RS512LYPNF-G-BCERE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RS512TYPNF-G-BCERE1 MSL MB85RS512TYPNF-G-BCERE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC512TYPNF-G-BCERE1 MSL MB85RC512TYPNF-G-BCERE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC512LYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RC512LYPN-G-AMEWE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RS512LYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RS512LYPN-G-AMEWE1 Storage - 卷帶(TR) 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL W632GG8NB15I TR MSL W632GG8NB15I TR Storage 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields