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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STD MSL SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STD Storage 153-BGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 153BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C PDF
MSL NSEC00K016-IT MSL NSEC00K016-IT Storage 100-BGA(14x18) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 100BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C PDF
MSL NSEC00K016-ITJ MSL NSEC00K016-ITJ Storage 100-BGA(14x18) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 100BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C PDF
MSL MTFC64GBCAQTC-IT MSL MTFC64GBCAQTC-IT Storage 153-LFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 512GBIT EMMC 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MTFC64GBCAQTC-IT TR MSL MTFC64GBCAQTC-IT TR Storage 153-LFBGA(11.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT EMMC 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:B MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:B Storage 200-TFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:C MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:C Storage 200-TFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:C TR MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:C TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF

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