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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1565KV18-500BZXI MSL CY7C1565KV18-500BZXI Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:500 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C020-12PC MSL AT27C020-12PC Storage 32-PDIP 管件 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL CY62168G18-55BVXIT MSL CY62168G18-55BVXIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT57V512H36AF-7.5 MSL MT57V512H36AF-7.5 Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24C16AN-10SI-2.7-T MSL AT24C16AN-10SI-2.7-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:4.5 µs|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF402C-70-4I-B3KE-T MSL SST39VF402C-70-4I-B3KE-T Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DQ321-MHF-T MSL AT45DQ321-MHF-T Storage 8-UDFN(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 71V67703S79BGG8 MSL 71V67703S79BGG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NV25160DTVLT3G MSL NV25160DTVLT3G Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) 16KB SPI SER CMOS EEPROM TSSOP8 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:79 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS42S32200C1-7TI-TR MSL IS42S32200C1-7TI-TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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