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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W66CP2NQUAHJ MSL W66CP2NQUAHJ Storage 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT40A512M16TB-062E IT:R TR MSL MT40A512M16TB-062E IT:R TR Storage 96-FBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT53E768M32D4DE-046 WT:E MSL MT53E768M32D4DE-046 WT:E Storage 200-TFBGA(10x14.5) 散裝 IC DRAM 24GBIT 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:768M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL 93LC46AX/SN MSL 93LC46AX/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25LC080AT-I/ST MSL 25LC080AT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT40A1G8SA-062E:E TR MSL MT40A1G8SA-062E:E TR Storage 78-FBGA(7.5x11) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL DS24B33G+T&R MSL DS24B33G+T&R Storage 2-SFN(6x6) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 2SFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:2.8V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV51216BLL-55BLI-TR MSL IS62WV51216BLL-55BLI-TR Storage 48-迷你型BGA(7.2x8.7) 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1515KV18-250BZC MSL CY7C1515KV18-250BZC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL N01S830BAT22IT MSL N01S830BAT22IT Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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