Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 93C66AT-I/MS MSL 93C66AT-I/MS Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC16B-E/SN MSL 24LC16B-E/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 041841QLAD-4 MSL 041841QLAD-4 Storage 119-BGA(17x7) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-
MSL CY7C11681KV18-450BZC MSL CY7C11681KV18-450BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C32M16SC-7TINTR MSL AS4C32M16SC-7TINTR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:17 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL032N11FFIV13 MSL S29GL032N11FFIV13 Storage 64-FBGA(13x11) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:110ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S-25C040A0H-K8T2UD MSL S-25C040A0H-K8T2UD Storage 8-TMSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 8TMSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:6.5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL DS1270Y-70IND# MSL DS1270Y-70IND# Storage 36-EDIP 管件 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S34ML04G200TFI000 MSL S34ML04G200TFI000 Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62146DV30LL-70ZSI MSL CY62146DV30LL-70ZSI Storage - 散裝 ASYNC RAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields