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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 71T79802S200PFGI8 MSL 71T79802S200PFGI8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V124SA20PHI8 MSL IDT71V124SA20PHI8 Storage 32-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32400D-7BI MSL IS42S32400D-7BI Storage 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61QDB22M18-250M3L MSL IS61QDB22M18-250M3L Storage 165-LFBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QUAD|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V658S15BF8 MSL 70V658S15BF8 Storage 208-CABGA(15x15) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24LC1025T-E/SN16KVAO MSL 24LC1025T-E/SN16KVAO Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C MSL MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C Storage 556-WFBGA(12.4x12.4) 盒 IC DRAM 48GBIT PAR 556WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL W25Q257FVEIF TR MSL W25Q257FVEIF TR Storage 8-WSON(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V3557S79BGI MSL 71V3557S79BGI Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71T79802S200BGGI MSL 71T79802S200BGGI Storage 119-PBGA(14x22) 管件 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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