| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL S25FL216K0PMFI010 |
Storage |
8-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:65 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR |
Storage |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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MSL MT46V32M16CY-5B AIT:J |
Storage |
60-FBGA(8x12.5) |
散裝 |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
散裝 |
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MR5A16AUYS45 |
Storage |
54-TSOP2 |
託盤 |
IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT29F64G08AJABAWP:B TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24FC08T-E/OT36KVAO |
Storage |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IDT71V67602S166BQ8 |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M58WR064KB7AZB6F TR |
Storage |
56-VFBGA(7.7x9) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GS82583ET18GK-679I |
Storage |
260-BGA(22x14) |
託盤 |
IC SRAM 288MBIT PAR 260BGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:679 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.25V ~ 1.35V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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