Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL216K0PMFI010 MSL S25FL216K0PMFI010 Storage 8-SOIC 託盤 IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:65 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR MSL MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL MT46V32M16CY-5B AIT:J MSL MT46V32M16CY-5B AIT:J Storage 60-FBGA(8x12.5) 散裝 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L MSL MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L Storage 90-VFBGA(8x13) 散裝 IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MR5A16AUYS45 MSL MR5A16AUYS45 Storage 54-TSOP2 託盤 IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT29F64G08AJABAWP:B TR MSL MT29F64G08AJABAWP:B TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24FC08T-E/OT36KVAO MSL 24FC08T-E/OT36KVAO Storage SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IDT71V67602S166BQ8 MSL IDT71V67602S166BQ8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M58WR064KB7AZB6F TR MSL M58WR064KB7AZB6F TR Storage 56-VFBGA(7.7x9) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GS82583ET18GK-679I MSL GS82583ET18GK-679I Storage 260-BGA(22x14) 託盤 IC SRAM 288MBIT PAR 260BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:679 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.25V ~ 1.35V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)

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