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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C128M16D3-12BIN |
Storage |
96-FBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL M48Z02-200PC1 |
Storage |
24-PCDIP,CAPHAT® |
管件 |
IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200ns|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7024L17J |
Storage |
84-PLCC(29.31x29.31) |
管件 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:17ns|訪問時間:17 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7164L15TDB |
Storage |
28-CDIP |
管件 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS42VM16800G-6BLI |
Storage |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70261L15PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SST25VF064C-80-4I-Q2AE |
Storage |
8-WSON |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT SPI/DUAL 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NP8P128AE3TSM60E |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:PCM(PRAM)|技術:PCM(PRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯,SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:135ns|訪問時間:135 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MTFC8GACAENS-K1 AIT |
Storage |
153-TFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49NLC18160-25BI |
Storage |
144-FCBGA(11x18.5) |
託盤 |
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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