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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS35ML04G168-BLA2-TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
4GB (X16, 8BIT ECC),63 BALL VFBG |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns,700µs|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CAT28F020H-12 |
Storage |
32-TSOP |
散裝 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W25N04KVZEIR TR |
Storage |
8-WSON(8x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:250µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL 71V3556SA150BG8 |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT24C128N-10SU-2.7-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM032LXOAB320CS1R |
Storage |
24-TBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC RAM 32MBIT XSPI/OCTAL 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL MX25U1633FZUJ |
Storage |
8-USON(2x3) |
剪切帶(CT) |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3.6ms|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL FT24C64A-USG-T |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 800KHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:800 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:700 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL MTFC128GBEAZHF-WT |
Storage |
- |
託盤 |
IC FLASH 1TBIT UFS3.1 |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS 3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S70GL02GS11FHI023 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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