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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL SM662PXC-BESS |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 160GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:160Gb|記憶體組織:20G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL IS25WP128-JKLE-TR |
Storage |
8-WSON(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS46DR16160B-3DBLA2-TR |
Storage |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 23LC512-I/ST |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MB85RS1MTPNF-G-JNE1 |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FRAM 1MBIT SPI 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT24C03LI-G |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53E128M32D2FW-046 AUT:A |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
盒 |
IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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MSL AT49LV002N-90VC |
Storage |
32-VSOP |
託盤 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32VSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL IS42S83200B-7T-TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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