Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1163KV18-550BZC MSL CY7C1163KV18-550BZC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NM93C66ALEMT8X MSL NM93C66ALEMT8X Storage 8-TSSOP 散裝 IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:250 kHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C64N-10SI-2.7 MSL AT24C64N-10SI-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218 MSL MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218 Storage - 散裝 IC FLASH RAM 536GBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:536Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL M3008316035NX0PBCY MSL M3008316035NX0PBCY Storage 484-CABGA(23x23) 託盤 IC RAM 8MBIT PAR 484CABGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL W25Q01JVSFIM MSL W25Q01JVSFIM Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C512R-12RI MSL AT27C512R-12RI Storage 28-SOIC 管件 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL S25FL512SAGMFIR10 MSL S25FL512SAGMFIR10 Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S26HL02GTFGBHM040 MSL S26HL02GTFGBHM040 Storage 24-FBGA(8x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS43DR16320D-3DBLI MSL IS43DR16320D-3DBLI Storage 84-TWBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields