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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IDT71V35761S183BQGI8 MSL IDT71V35761S183BQGI8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V35761SA200BQ MSL IDT71V35761SA200BQ Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EDB8164B4PR-1D-F-D MSL EDB8164B4PR-1D-F-D Storage 216-FBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL CAT25128LI-G MSL CAT25128LI-G Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 128KBIT SPI 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V631S15BF MSL 70V631S15BF Storage 208-CABGA(15x15) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 5962-8687921XA MSL 5962-8687921XA Storage 48-SIDE BRAZED 管件 IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL STK11C88-NF25I MSL STK11C88-NF25I Storage 28-SOIC 託盤 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C2265KV18-450BZC MSL CY7C2265KV18-450BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT46V32M16P-5B AIT:J MSL MT46V32M16P-5B AIT:J Storage 66-TSOP 散裝 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR MSL MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)

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