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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 5962-8866201XA |
Storage |
28-CDIP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA) |
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MSL GS8128236GD-333I |
Storage |
165-FPBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,標準|存儲容量:144Mb|記憶體組織:4M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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MSL AT28HC256F-70LI |
Storage |
44-CLCC(16.55x16.55) |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 44CLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT46V32M16P-5B L:J |
Storage |
66-TSOP |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C |
Storage |
556-WFBGA(12.4x12.4) |
盒 |
IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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MSL W25Q10EWUXIE TR |
Storage |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,800µs|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25N01GVTCIG |
Storage |
24-TFBGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70T3539MS166BC |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL PC28F256J3D95A |
Storage |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8,16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:95ns|訪問時間:95 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C0831AV-133AXI |
Storage |
120-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 120TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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