Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL M29F102BB-45K1 MSL M29F102BB-45K1 Storage 44-PLCC 管件 FLASH 1 MB (64KB X16, BOOT BLOCK 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C1M16S-6TIN MSL AS4C1M16S-6TIN Storage 50-TSOP II 託盤 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C16M32SC-7TIN MSL AS4C16M32SC-7TIN Storage 86-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:17 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL FEMC032GBE-TC40 MSL FEMC032GBE-TC40 Storage 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL R1EX24016ASAS0I#S1 MSL R1EX24016ASAS0I#S1 Storage - 散裝 EEPROM, 2KX8, SERIAL 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AS4C4M16SA-7TCN MSL AS4C4M16SA-7TCN Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43DR82560C-3DBL-TR MSL IS43DR82560C-3DBL-TR Storage 60-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL MX30LF1G28AD-XKI MSL MX30LF1G28AD-XKI Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14U256LA-BA35XIT MSL CY14U256LA-BA35XIT Storage 48-FBGA(6x10) 卷帶(TR) IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V256SA15YG8 MSL 71V256SA15YG8 Storage 28-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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