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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS43LR16200D-6BL-TR |
Storage |
60-TFBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 23LC1024T-E/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CY7C1021BNV33L-15VXI |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27BV010-15JC |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AS6C2008A-55BINTR |
Storage |
36-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25U25645GXDI54 |
Storage |
24-CSPBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QU 24CSPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:64M x 4,128M x 2,256M x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28C64E-12SU |
Storage |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT24C32N-10SI-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDD58PFD-2AET |
Storage |
60-FBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT SSTL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS45S16160J-7BLA1-TR |
Storage |
54-TFBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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