Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT53E512M64D2NZ-46 WT:B MSL MT53E512M64D2NZ-46 WT:B Storage 376-WFBGA(14x14) 散裝 IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL AT25QF2561C-MWUB-T MSL AT25QF2561C-MWUB-T Storage - 卷帶(TR) 8-pin 6x8 W-DFN, IND TEP, Wide 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT24C01A-10TI-2.7-T MSL AT24C01A-10TI-2.7-T Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C46JI-1.8TE13 MSL CAT93C46JI-1.8TE13 Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16,128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR MSL MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT25C08VGI MSL CAT25C08VGI Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1248KV18-400BZC MSL CY7C1248KV18-400BZC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS45S32200L-6BLA1 MSL IS45S32200L-6BLA1 Storage 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT25QL256ABA8E12-0AUT TR MSL MT25QL256ABA8E12-0AUT TR Storage 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F TR MSL MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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