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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A MSL MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A Storage 132-TBGA(12x18) 散裝 IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GS8342QT19BGD-333I MSL GS8342QT19BGD-333I Storage 165-FPBGA(15x13) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
MSL IDT71V416S15YI MSL IDT71V416S15YI Storage 44-SOJ 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V416YL15Y8 MSL IDT71V416YL15Y8 Storage 44-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y MSL MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y Storage - 託盤 IC FLASH RAM 1TBIT MCP 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B MSL MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Storage 152-TBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT48LC4M32B2B5-6A:L MSL MT48LC4M32B2B5-6A:L Storage 90-VFBGA(8x13) 散裝 IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C TR MSL MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C TR Storage 556-WFBGA(12.4x12.4) 卷帶(TR) IC DRAM 96GBIT 556TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:96Gb|記憶體組織:1.5M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL IDT71V65802S100BQ8 MSL IDT71V65802S100BQ8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EDB4064B4PB-1DIT-F-R MSL EDB4064B4PB-1DIT-F-R Storage 216-WFBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:64M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)

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