| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A |
Storage |
132-TBGA(12x18) |
散裝 |
IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL GS8342QT19BGD-333I |
Storage |
165-FPBGA(15x13) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
|
 |
MSL IDT71V416S15YI |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IDT71V416YL15Y8 |
Storage |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y |
Storage |
- |
託盤 |
IC FLASH RAM 1TBIT MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
|
 |
MSL MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B |
Storage |
152-TBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL MT48LC4M32B2B5-6A:L |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
散裝 |
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C TR |
Storage |
556-WFBGA(12.4x12.4) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 96GBIT 556TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:96Gb|記憶體組織:1.5M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
|
 |
MSL IDT71V65802S100BQ8 |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL EDB4064B4PB-1DIT-F-R |
Storage |
216-WFBGA(12x12) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:64M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|