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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR MSL MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT62F1G32D4DS-031 AIT:B TR MSL MT62F1G32D4DS-031 AIT:B TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-40°C ~ 95°C
MSL AT93C46-10PC-1.8 MSL AT93C46-10PC-1.8 Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR MSL MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR Storage 200-VFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:768M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL UPD44647366AF5-E25-FQ1-A MSL UPD44647366AF5-E25-FQ1-A Storage 165-PBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.5ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS49NLS18160A-25WBLI MSL IS49NLS18160A-25WBLI Storage 144-TWBGA(11x18.5) 散裝 IC DRAM 288MBIT HSTL 144TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 2|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC160AT-I/ST MSL 25LC160AT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT SPI 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C16-10PI-1.8 MSL AT24C16-10PI-1.8 Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL256S90DHI010 MSL S29GL256S90DHI010 Storage 64-FBGA(9x9) 託盤 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V65603S150BG8 MSL 71V65603S150BG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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