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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MR0A08BCSO35 |
Storage |
32-SOIC |
託盤 |
IC RAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1470V25-200AXC |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT30AZZZDDA0TPQS-031 W.19Q TR |
Storage |
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卷帶(TR) |
IC FLASH RAM 2TBIT MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL SM668GE8-AC |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IS62WV51216BLL-55BI |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C64M16D2-25BAN |
Storage |
84-FBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MTFC128GAZAOTD-AIT TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1TBIT UFS2.1 |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS2.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CY14B108L-ZS45XIT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48LC8M16A2TG-6A:L |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT62F1536M32D4DS-023 AUT:C |
Storage |
315-TFBGA(12.4x15) |
託盤 |
IC DRAM 48GBIT LVSTL 315TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:48Gb|記憶體組織:1.5G x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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