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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EM128LXQADG13CS2T |
Storage |
8-DFN(6x8) |
託盤 |
IC RAM 128MBIT XSPI 8DFN |
記憶體類型:-|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IS62WVS5128FALL-16NLI |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC SRAM 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR |
Storage |
100-LBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT49H64M9FM-25:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:64M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 71V35761SA200BQGI |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT30AZZZEDB0TPEQ-031 W.20Z TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH RAM 4TBIT MCP |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:4Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CY7C2562XV18-366BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:366 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GS8342TT38BGD-500I |
Storage |
165-FPBGA(15x13) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:500 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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MSL CY7C09199V-9AXC |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1.152Mb|記憶體組織:128K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:67 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT71V416YS10PH |
Storage |
44-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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