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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C4M16SB-6TIN |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27BV1024-90VC |
Storage |
40-VSOP |
託盤 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 40VSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL S25FL128SAGMFIG00 |
Storage |
16-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29AL016J70TFN010 |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT25QF2561C-SXUB-T |
Storage |
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卷帶(TR) |
16-pin 300 mil W-SOIC, IND TEP |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 71V3558S100PFG |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
散裝 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS25WJ128F-JKLE |
Storage |
8-WSON(6x5) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:4.8 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT TR |
Storage |
24-T-PBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62136ESL-45ZSXI |
Storage |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25WP512M-RMLA3-TY |
Storage |
16-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SERIAL 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2ms|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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