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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY14B104L-BA25XIT MSL CY14B104L-BA25XIT Storage 48-FBGA(6x10) 卷帶(TR) IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41J256M16HA-125:E TR MSL MT41J256M16HA-125:E TR Storage 96-FBGA(9x14) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR MSL MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL BQ2022DBZR MSL BQ2022DBZR Storage SOT-23-3 卷帶(TR) IC EPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:32 位元組 x 4 頁|記憶體介面:單線|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.65V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C04C-MAHM-T MSL AT24C04C-MAHM-T Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1007BN-15VXC MSL CY7C1007BN-15VXC Storage 28-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:1M x 1|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR MSL IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25LQ16EEIGR MSL GD25LQ16EEIGR Storage 8-USON(3x2) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,2.4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.1V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY2149-45PC MSL CY2149-45PC Storage 18-PDIP 散裝 IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Kb|記憶體組織:1K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1011DV33-10ZSXI MSL CY7C1011DV33-10ZSXI Storage 44-TSOP II 散裝 SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 2M 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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