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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL BRCB008GWZ-3E2 |
Storage |
UCSP30L1 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C UCSP30L1 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:401 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V65803S150BQG8 |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BR93L56RFV-WE2 |
Storage |
8-SSOP-B |
剪切帶(CT) |
IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SSOPB |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SM662GXD-BEST |
Storage |
100-BGA(14x18) |
散裝 |
IC FLASH 1TBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL AS7C34098A-12JINTR |
Storage |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:384M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL PCA8581CT/6,118 |
Storage |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 100KHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q01NWTBIQ TR |
Storage |
24-TFBGA(8x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL RMLV0408EGSB-4S2#AA0 |
Storage |
32-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25HL512TDPNHI010 |
Storage |
8-WSON(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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