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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR |
Storage |
152-TBGA(14x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT71V416S15PHI |
Storage |
44-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FL064LABMFA010CLG |
Storage |
8-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1418BV18-267BZXC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR |
Storage |
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卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IDT71V547S100PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT49H8M36BM-25E:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:288Mb|記憶體組織:8M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 70T653MS12BC8 |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1665KV18-550BZXC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:144Mb|記憶體組織:4M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GS8256436GD-250I |
Storage |
165-FPBGA(15x13) |
託盤 |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,標準|存儲容量:288Mb|記憶體組織:8M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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