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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 24AA1026T-I/ST |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1MBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX30LF2G18AC-XKJ |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns,600µs|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS45S16400J-6BLA1-TR |
Storage |
54-TFBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W632GU6NB15I TR |
Storage |
96-VFBGA(7.5x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IDT71V416VS15YG |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX30LF2G28AC-TI |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25QL321-UUE-T |
Storage |
8-WLCSP(1.55x2.28) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:150µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93C66B-E/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MTFC128GBCAQTC-AAT |
Storage |
- |
託盤 |
IC FLASH 1TBIT MMC |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IS46TR16256BL-107MBLA2 |
Storage |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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