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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR MSL MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR Storage 132-TBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT62F1G64D4EK-023 AIT:C TR MSL MT62F1G64D4EK-023 AIT:C TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 441TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IDT71V35761SA183BQI MSL IDT71V35761SA183BQI Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT62F1G64D4EK-023 FAAT:B TR MSL MT62F1G64D4EK-023 FAAT:B TR Storage 441-TFBGA(14x14) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 441TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL IS46TR16640C-125JBLA25 MSL IS46TR16640C-125JBLA25 Storage 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 115°C(TC)
MSL MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR MSL MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR Storage 152-TBGA(14x18) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 5962-8855204UA MSL 5962-8855204UA Storage 28-CDIP 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL M45PE80-VMP6G MSL M45PE80-VMP6G Storage 8-VFQFPN(6x5) 託盤 IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8VFQFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16100E-6TL-TR MSL IS42S16100E-6TL-TR Storage 50-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR MSL MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR Storage 432-VFBGA(15x15) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)

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