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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M30162040054X0ISAY |
Storage |
8-SOIC |
託盤 |
IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:-|時鐘頻率:54 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL 24LC65T-I/SM |
Storage |
8-SOIJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M3008316035NX0PBCR |
Storage |
484-CABGA(23x23) |
卷帶(TR) |
IC RAM 8MBIT PAR 484CABGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL S26HS01GTFPBHM020 |
Storage |
24-FBGA(8x8) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:5.45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CAT93C76VI-GT3 |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8,512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1462KV25-167BZI |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
SRAM - SYNCHRONOUS, SDR MEMORY I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1328S-133AXI |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
袋 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F16G08ABABAWP:B TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GD25LD20EEIGR |
Storage |
8-USON(3x2) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,6ms|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM032LXOAB320ES1R |
Storage |
24-TBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC RAM 32MBIT XSPI 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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