Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR MSL IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR Storage 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AT25F1024N-10SI-2.7 MSL AT25F1024N-10SI-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL FT24C16A-ESR-T MSL FT24C16A-ESR-T Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL KTDM4G3C818BGIEAT MSL KTDM4G3C818BGIEAT Storage - 散裝 IC DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866M 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 93LC86C-E/P MSL 93LC86C-E/P Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C146-25JC MSL CY7C146-25JC Storage 52-PLCC(19.13x19.13) 管件 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M10162040054X0IWAY MSL M10162040054X0IWAY Storage 8-DFN(5x6) 託盤 IC RAM 16MBIT 54MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:-|時鐘頻率:54 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.71V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MT61M256M32JE-12 N:A TR MSL MT61M256M32JE-12 N:A TR Storage 180-FBGA(12x14) 卷帶(TR) IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.21V ~ 1.29V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL NSEC53T032-AT MSL NSEC53T032-AT Storage 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL SM662GEB-BEST MSL SM662GEB-BEST Storage 100-BGA(14x18) 託盤 IC FLASH 256GBIT EMMC 100BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C

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