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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1411KV18-250BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61DDB42M18-250M3 |
Storage |
165-LFBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.85 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS27TH128G31-JCLI |
Storage |
153-VFBGA(11.5x13) |
託盤 |
128GB, 153 BALL FBGA, 3.3V, ROHS |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS 3.1|時鐘頻率:38.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.25V ~ 2.79V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL N25Q064A13E1240E |
Storage |
24-T-PBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT SPI 24TPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:16M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT62F768M64D4EK-023 FAAT:C TR |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL MT62F768M64D4EK-023 AAT:B |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
盒 |
IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL SST25PF040C-40V/SN18GVAO |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 70V9269S12PRFGI |
Storage |
128-TQFP(14x14) |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70T3399S166BC |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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