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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS42S16400F-6BL-TR |
Storage |
54-TFBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S72XS256RE0AHBJH3 |
Storage |
133-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH,DRAM|存儲容量:256Mb(閃存),256Mb(DDR DRAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT28F010G12 |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V28S15PFI |
Storage |
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託盤 |
IC SRAM 512KBIT LVTTL 100TQFP |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:512Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 7028S20PF8 |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:1Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL AS6C8016A-55BIN |
Storage |
48-FPBGA(10x8) |
託盤 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7005S17PF |
Storage |
64-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:17ns|訪問時間:17 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S25FS256SDSBHI300 |
Storage |
24-BGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7007S25PF8 |
Storage |
80-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 80TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S16100E-6BL-TR |
Storage |
60-TFBGA(6.4x10.1) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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