Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W66AQ6NBQAGJ MSL W66AQ6NBQAGJ Storage 200-TFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL AT24C32-10PC-1.8 MSL AT24C32-10PC-1.8 Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 32KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43TR81280B-107MBLI MSL IS43TR81280B-107MBLI Storage 78-TWBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL M24C08-FCT6TP/T MSL M24C08-FCT6TP/T Storage 4-WLCSP(0.70x0.71) 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 4WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24FC04-I/ST MSL 24FC04-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C09369V-9AC MSL CY7C09369V-9AC Storage 100-TQFP(14x14) 散裝 IC SRAM 288KBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:288Kb|記憶體組織:16K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:67 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24LC64-E/SM MSL 24LC64-E/SM Storage 8-SOIJ 管件 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S29GL512T11DHB023 MSL S29GL512T11DHB023 Storage 64-FBGA(9x9) 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL GD25WD80ESIGR MSL GD25WD80ESIGR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,6ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H128M8CF-25E:H TR MSL MT47H128M8CF-25E:H TR Storage 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)

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