Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S-24CS16A0I-T8T1G MSL S-24CS16A0I-T8T1G Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C256R-70PI MSL AT27C256R-70PI Storage 28-PDIP 管件 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 24FC04-E/SN MSL 24FC04-E/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1321CV18-167BZC MSL CY7C1321CV18-167BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S34ML01G200BHI000 MSL S34ML01G200BHI000 Storage 63-BGA(11x9) 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14B101PA-SFXIT MSL CY14B101PA-SFXIT Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDB26PFC-5EIT TR MSL NDB26PFC-5EIT TR Storage 84-FBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT SSTL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT52L256M64D2FT-107 WT:B MSL MT52L256M64D2FT-107 WT:B Storage - IC DRAM 16GBIT 933MHZ WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL DS1250Y-100+ MSL DS1250Y-100+ Storage 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61C64AL-10TLI MSL IS61C64AL-10TLI Storage 28-TSOP I 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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