Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS61C256AL-12TLI MSL IS61C256AL-12TLI Storage 28-TSOP I 託盤 IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC256-E/SN MSL 25LC256-E/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24LC512-I/ST MSL 24LC512-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32800G-7BLI-TR MSL IS42S32800G-7BLI-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL128SAGBHIA00 MSL S25FL128SAGBHIA00 Storage 24-BGA(8x6) 散裝 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62157EV30LL-45ZXI MSL CY62157EV30LL-45ZXI Storage 48-TSOP I 託盤 IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32160F-7TLI MSL IS42S32160F-7TLI Storage 86-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25QL321-SHE-T MSL AT25QL321-SHE-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:150µs,5ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR MSL MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Storage 168-WFBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62157CV18LL-55BAI MSL CY62157CV18LL-55BAI Storage 48-FBGA(6x10) 散裝 IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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