Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY15B201QN-50SXET MSL CY15B201QN-50SXET Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 1MBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL STK14C88-3WF45 MSL STK14C88-3WF45 Storage 32-PDIP 管件 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 32DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25LC040XT/ST MSL 25LC040XT/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT62F2G32D4DS-026 WT:B MSL MT62F2G32D4DS-026 WT:B Storage 200-WFBGA(10x14.5) IC DRAM 64GBIT PAR 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-
MSL CY14B116N-ZSP25XI MSL CY14B116N-ZSP25XI Storage 54-TSOP II 託盤 IC NVSRAM 16MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV1288FBLL-45QLI MSL IS62WV1288FBLL-45QLI Storage 32-SOP 託盤 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MD2114AL3 MSL MD2114AL3 Storage 18-CDIP 散裝 IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Kb|記憶體組織:1K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL 24C65/SM MSL 24C65/SM Storage 8-SOIJ 管件 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDL88PFO-8KIT TR MSL NDL88PFO-8KIT TR Storage 78-FBGA(9x10.6) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR MSL MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)

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