Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL NXH5104UK/A1Z MSL NXH5104UK/A1Z Storage 13-WLCSP(2.8x2.74) 卷帶(TR) IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1V ~ 2.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)
MSL MT48LC64M8A2TG-79:C MSL MT48LC64M8A2TG-79:C Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDS96PT4-16ET TR MSL NDS96PT4-16ET TR Storage 50-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S28HS01GTGZBHI030 MSL S28HS01GTGZBHI030 Storage - 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/OCTAL 24FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 041841QLAD-6 MSL 041841QLAD-6 Storage 119-BGA(17x7) 散裝 IC PSRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:-|記憶體格式:PSRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-
MSL AT25256AW-10SI-2.7 MSL AT25256AW-10SI-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA16HT-I/MS MSL 24AA16HT-I/MS Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V424L10PHG8 MSL 71V424L10PHG8 Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25SF161B-SSHB-B MSL AT25SF161B-SSHB-B Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F1GQ4UFYIGR MSL GD5F1GQ4UFYIGR Storage 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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