| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL CY10E422-7DC |
Storage |
24-SBDIP |
散裝 |
IC SRAM 1KBIT PARALLEL 24SBDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Kb|記憶體組織:256 x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:7ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:4.94V ~ 5.46V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL CAT28F020HI12 |
Storage |
32-TSOP |
散裝 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL GD55B01GFYIGR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
|
 |
MSL MT62F512M32D2DS-031 AUT:B |
Storage |
200-WFBGA(10x14.5) |
盒 |
IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 125°C |
|
 |
MSL MT47H64M8CF-25E:G TR |
Storage |
60-FBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL CY62128ELL-55ZAXET |
Storage |
32-sTSOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL AT49LV040-70TC |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
|
 |
MSL M29F400BB55N6T TR |
Storage |
48-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8,256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CAT24C21WI-T3 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:1 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL DS2430A/T&R |
Storage |
TO-92-3 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256BIT 1-WIRE TO92-3 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256 比特|記憶體組織:32 x 8|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|