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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EM6HE08EW8D-10IH |
Storage |
78-FBGA(9x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 93C56T-E/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS42S32160F-7BL-TR |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL PC28F00AP30BF0 |
Storage |
64-EasyBGA(8x10) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS29GL256-70SLEB |
Storage |
56-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PAR 56TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 71V65903S80BQG8 |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT40A1G16KNR-062E:E TR |
Storage |
96-FBGA(7.5x13.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:1G x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL AT28HC64B-90SU |
Storage |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AS7C34098A-15JINTR |
Storage |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1041GE-10VXIT |
Storage |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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