Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS4C128M8D1-6TINTR MSL AS4C128M8D1-6TINTR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E2G64D8TN-046 AUT:C MSL MT53E2G64D8TN-046 AUT:C Storage 556-LFBGA(12.4x12.4) IC DRAM 128GBIT PAR 556LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:128Gb|記憶體組織:2G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL CY7C1512KV18-333BZXC MSL CY7C1512KV18-333BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24C128C-MAPD-T MSL AT24C128C-MAPD-T Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT I2C 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL SST25PF040CT-40I/SN18GVAO MSL SST25PF040CT-40I/SN18GVAO Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL THGBMHG9C8LBAU8 MSL THGBMHG9C8LBAU8 Storage 153-WFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 512GBIT EMMC 153WFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MTFC256GBEAZHF-WT MSL MTFC256GBEAZHF-WT Storage - 託盤 IC FLASH 2TBIT UFS 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:UFS 3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IDT71V3558SA133BG MSL IDT71V3558SA133BG Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR MSL MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR Storage 78-FBGA(9x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL EM128LXOAB320CS1T MSL EM128LXOAB320CS1T Storage 24-TBGA(6x8) 託盤 IC RAM 128MBIT XSPI 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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