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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL BR25H512F-5ACE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CY7C164-35PC |
Storage |
22-PDIP |
散裝 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 22DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:16K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S29GL01GT13TFNV20 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 71V432S5PFG |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:32K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.63V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V424S12PHG |
Storage |
44-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NDS66PT5-20ET |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S80KS2563GABHI023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1006D-10VXI |
Storage |
28-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:256K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25L25773GZ4I-08G |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:64M x 2,128M x 2,256M x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,790µs|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C25422KV18-333BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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