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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48LC16M4A2TG-79:G TR |
Storage |
54-TSOP II |
剪切帶(CT) |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:16M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 709079S9PF |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W632GU8RB11J |
Storage |
78-VFBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL CY7C2165KV18-450BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR93G76FVJ-3AGTE2 |
Storage |
8-TSSOP-BJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C64M16D3-12BCNTR |
Storage |
96-FBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT47H512M4THN-25E:H |
Storage |
63-FBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:512M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 70V27L25PFI |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F1G08ABADAWP:D TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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