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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 5962-8866205 |
Storage |
28-CDIP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS42VM16320D-6BLI |
Storage |
54-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B |
Storage |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1.5Tb|記憶體組織:192G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43TR16128BL-125KBLI-TR |
Storage |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT48LC16M8A2FB-79 IT:G TR |
Storage |
60-FBGA(8x16) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 709079S9PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W632GU6RB12I TR |
Storage |
96-VFBGA(7.5x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY62177ESL-55ZXI |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PC28F128G18FE |
Storage |
64-EasyBGA(8x10) |
管件 |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:96ns|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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