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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL STK11C68-C35I MSL STK11C68-C35I Storage 28-CDIP 管件 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY6264-70SNC MSL CY6264-70SNC Storage 28-SOIC 管件 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS46TR16640B-15GBLA2 MSL IS46TR16640B-15GBLA2 Storage 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL AT29BV010A-12TC MSL AT29BV010A-12TC Storage 32-TSOP 託盤 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 7006S15PF MSL 7006S15PF Storage 64-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT44K64M18RB-083F:A MSL MT44K64M18RB-083F:A Storage 168-BGA(13.5x13.5) 託盤 IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 3|存儲容量:1.125Gb|記憶體組織:64M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.67 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1514KV18-300BZXC MSL CY7C1514KV18-300BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR MSL MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)
MSL IS42VM16320D-6BLI-TR MSL IS42VM16320D-6BLI-TR Storage 54-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR32100C-6BLI-TR MSL IS43LR32100C-6BLI-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:1M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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