Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25N01KVZPIE MSL W25N01KVZPIE Storage - 管件 1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V, B 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL SST26VF032-80-5I-S2AE-T MSL SST26VF032-80-5I-S2AE-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MB85RC256TYPN-G-AMEWE1 MSL MB85RC256TYPN-G-AMEWE1 Storage - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL W66BQ6NBHAGJ TR MSL W66BQ6NBHAGJ TR Storage 100-VFBGA(10x7.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL S25FL128SAGBHVA03 MSL S25FL128SAGBHVA03 Storage 24-BGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CY62138FV30LL-45ZSXI MSL CY62138FV30LL-45ZSXI Storage 44-TSOP II 管件 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS25WP256E-RMLE-TR MSL IS25WP256E-RMLE-TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 71V016SA12BF8 MSL 71V016SA12BF8 Storage 48-CABGA(7x7) 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MR25H128ACDFR MSL MR25H128ACDFR Storage 8-DFN-EP,小标志(5x6) 卷帶(TR) IC RAM 128KBIT SPI 40MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR MSL MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR Storage 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:1G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

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