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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MR1A16AVMA35R |
Storage |
48-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC RAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY62157DV30LL-45ZSXI |
Storage |
44-TSOP II |
散裝 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FT24C08A-ETR-T |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL 71256SA20YG8 |
Storage |
28-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46V32M16CV-5B IT:J TR |
Storage |
60-FBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS6C1616-55TINTR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY15B104QSN-108SXIT |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S70FL01GSAGMFV010 |
Storage |
16-SOIC |
散裝 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AT24C128W-10SI-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61LPS25672A-250B1-TR |
Storage |
209-LFBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PAR 209LFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:256K x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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