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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL THGBMJG7C1LBAIL |
Storage |
153-WFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT EMMC 153FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M29F200BT70N1 |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8,128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F8G08ABACAH4-S:C TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR |
Storage |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL CY7C15632KV18-400BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V659S10BC8 |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT49H8M36BM-33 IT:B TR |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:288Mb|記憶體組織:8M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C25632KV18-400BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F256G08CJABBWP-12:B |
Storage |
48-TSOP I |
散裝 |
IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V659S12BCI |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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